三星宣布32层堆栈的TLC V-NAND闪存,850 Evo真的不远了
三星之前发布的850 Pro固态硬盘,首次使用了3D堆栈的V-NAND闪存,还是MLC规格的,但是三星欲说还休地透露了会存在TLC规格的V-NAND闪存。在刚刚开幕的PCM国际闪存会议上,三星正式宣布了3bit V-NAND闪存,也就是TLC V-NAND闪存,也是32层堆叠,这意味着840 Evo的继任者850 Evo真的不远了。PCper网站证实了三星发布全球首款32层堆栈的TLC V-NAND闪存,其原理其实跟MLC V-NAND是一样的,主要就是每cell单元储存2bit还是3bit数据的差别,而V-NAND技术部分是差不多的。根据三星所述,TLC V-NAND闪存相比传统的平面闪存的密度提升了1倍。
V-NAND技术原理前两年只有三星在SSD市场上力推TLC闪存,不过今年会有更多的厂商加入,东芝在PCM会议上也会展出旗下的TLC闪存硬盘,美光之前也表态年底会出TLC闪存,这已经是大势所趋。唯一的问题在于厂商会如何平衡TLC闪存的SSD的价格与可靠性。
此外,三星在PCM会议上还提出了一项名为“Storage Intelligence”(存储智能)的新技术,传统上SSD缺少与主机之间的协作能力,它对如何优化重组文件碎片无能为力,现在有了Storage Intelligence,就好比存储过程中多了一个善于指挥管理的交警,主机与SSD之间会更有协作能力,三星已经论证这个可能性,这样可以明显减少高IOPS活动下的写入延迟。
写入延迟降低了
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