TLC闪存的850 Evo确认，三星承诺改善性能、可靠性

齐河一家

三星已经发布了V-NAND闪存的850 Pro固态硬盘，它还是MLC闪存类型的，而三星之前已经发布了32层堆叠的TLC类型V-NAND闪存，意味着850 Evo硬盘不远了。实际上850 Evo真的是存在的，三星在IFA展会上已经低调展出了，只是还没有正式发布而已，看三星的描述他们会改善TLC闪存的850 Evo硬盘的性能及可靠性。

在IFA展会上大家关注的焦点都是数码产品，不过三星确实也展示了850 Evo硬盘，宣称这是世界首款3bit 3D V-NAND硬盘，当然三星的3bit闪存实际上就是我们常说的TLC闪存，他们就是觉得TLC名称已经被玩坏了。
三星在描述中提到850 Evo硬盘优化了性能，改善了PC的生产力，而通过3D V-NAND还提升了产品的耐用性，这是之前大家对TLC闪存最不放心的地方。
TLC闪存的性能与可靠性一直是争议的焦点，三星虽然没有公布具体的数据，但看起来850 Evo在这两点上相比目前的840 Evo会更好，他们的底气主要还是来自V-NAND这种技术。
我们都知道理论上MLC闪存性能和可靠性高于TLC闪存，3D V-NAND的MLC也要好于V-NAND的TLC，但3D V-NAND的TLC在性能及可靠性并不见得输给普通的MLC，因为V-NAND这种3D闪存与传统NAND有所不同，详情可以参考之前的V-NAND技术解析，通过多层堆叠，V-NAND闪存不仅容量提升了，而且不依赖更先进的制程，闪存的性能和可靠性提升了，目前三星的V-NAND技术已经发展到了第二代了。